|
課程名稱 |
奈米元件的製程與檢測技術
Fabrication and Characterization Techniques of Nanodevices |
|
開課學期 |
106-2 |
|
授課對象 |
理學院 物理學系 |
|
授課教師 |
林敏聰 |
|
課號 |
Phys8101 |
|
課程識別碼 |
222 D3240 |
|
班次 |
|
|
學分 |
3.0 |
|
全/半年 |
半年 |
|
必/選修 |
選修 |
|
上課時間 |
星期四7,8,9(14:20~17:20) |
|
上課地點 |
新物304 |
|
備註 |
總人數上限：40人 |
|
Ceiba 課程網頁 |
http://ceiba.ntu.edu.tw/1062Phys8101_ |
|
課程簡介影片 |
|
|
核心能力關聯 |
核心能力與課程規劃關聯圖 |
|
課程大綱
|
|
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
|
|
課程概述 |
半導體製程依據摩爾定律之預測已經成熟發展約40年，元件尺寸從微米級元件到目前的奈米級元件，應用範圍更含括邏輯元件、記憶體元件、微機電元件、嵌入式元件以及目前之生醫元件等等。而先進的奈米製程技術以及先進機台為背後的主要推手。
此課程主要分為包括先進奈米元件介紹以及製程應用、半導體製程設備機台介紹、建測技術以及實務參訪。可學習到各製程步驟與製程設備的主要技術原理及重要的基礎觀念。有助學生日後投入半導體、光電或其他相關奈米元件等相關產業。 |
|
課程目標 |
本課程將與國家奈米元件實驗室 (NDL) 合作，授課內容兼具基礎原理與實務知識，並搭配實務與參訪，作為未來學生參與 NDL 工作的先修課程。
本課程也通過 NDL 課程認證，可抵免 NDL「SM01積體電路製程技術訓練班」「SM01-1積體電路製程技術見習班」等課程。
(1) 先進半導體元件介紹以及製程應用：可學習到目前各個半導體元件之原理、架構、以及所需的半導體製程。
(2) 半導體製程設備機台介紹：可學習到各製程步驟與製程設備的主要技術原理及重要的基礎觀念.
(3) 實務參訪：安排參訪國家奈米元件實驗室的新竹元件廠，實地參觀半導體元件之製作。
A. 簡介：積體電路製造與半導體元件
B. 製程整合與CMOS製程
C. 製程整合與微機電製程
D. 微影技術
E. 磊晶製程
F. 化學氣相沉積與氧化
G. 離子佈植與擴散
H. 後段金屬連線製程
I. 蝕刻技術與電漿
J. 材料分析技術
K. 無塵室介紹與奈米製程實驗室設備見習實作：微影
L. 半導體製程設備見習實作：物理氣相沉積與磊晶設備 |
|
課程要求 |
第一次上課公告，修課者第一次上課必須出席。
其他參考資料與評分方式將於第一次上課公告。 |
|
預期每週課後學習時數 |
|
|
Office Hours |
|
|
指定閱讀 |
課程投影片(於 Ceiba 課程網頁上提供)。 |
|
參考書目 |
半導體製程技術導論 introduction to semiconductor manufacturing technology, Hong Xiao 著, 羅正忠、張鼎張譯 全華圖書 |
|
評量方式
(僅供參考) |
|
No. |
項目 |
百分比 |
說明 |
|
1. |
期末考 |
100% |
出缺席狀況須合乎規定。 |
|
|
週次 |
日期 |
單元主題 |
|
第1週 |
3/01 |
A. 積體電路製造與半導体元件 李耀仁 |
|
第2週 |
3/08 |
B. 製程整合與CMOS製程 賴宇紳(蘇俊榮) |
|
第3週 |
3/15 |
C. 微影技術 陳仕鴻 |
|
第4週 |
3/22 |
G. 離子佈植與擴散 李愷信 |
|
第5週 |
3/29 |
D. 蝕刻技術與電漿 薛富國 |
|
第6週 |
4/05 |
清明節停課一次 |
|
第7週 |
4/12 |
F. 化學氣相沉積與氧化 (黃文賢) |
|
第8週 |
4/19 |
H. 後段金屬連線製程 李美儀 |
|
第09週 |
04/26 |
溫書假停課一次(期中考週) |
|
第10週 |
05/03 |
E. 氧化擴散 (侯福居) |
|
第11週 |
05/10 |
J. 晶圓製造與磊晶製程 (羅廣禮) |
|
第12週 |
05/17 |
潔淨室入廠訓練 (工安小組 姚超俊) |
|
第13週 |
05/24 |
K. 材料分析技術 吳建霆 |
|
第14週 |
05/31 |
L. 無塵室介紹與奈米製程實驗室設備見習實作：微影 |
|
第15週 |
06/07 |
M.半導體製程設備見習實作：物理氣相沉積與磊晶設備 |
|
第16週 |
06/14 |
N.半導體製程設備見習實作(NDL) |
|
第17週 |
06/21 |
期末考週 |